英特尔精尖制造日 10纳米晶圆全球首秀

2017年09月19日 柠檬粉俱乐部


2017年9月19日,“英特尔精尖制造日”活动在北京举行,活动上,Intel全球首次展示了用于Cannon Lake处理器的10nm晶圆。Intel强调,其拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,从而实现了业内最高的晶体管密度,领先其他“10纳米”整整一代,即3年。



英特尔公司执行副总裁Stacy J. Smith指出摩尔定律不会失效,并将继续发挥作用。作为摩尔定律的实践,PC处理器每晶体管的加权平均成本(对标90纳米相对刻度)到22纳米、14纳米、10纳米稳步降低,将持续带来效能、利润的提升。



与此同时,英特尔业内领先地位没有动摇,在14纳米制程工艺仍旧领先竞争对手3年,并且在制造能力方面也让对手望尘莫及。据Stacy Smith介绍,英特尔技术与制造集团员工数量达到了3万人,制造(洁净)厂房面积在400万平方英尺以上,每秒生产晶体管数量100亿以上。值得一提的是,英特尔进入中国的32年中,于中国共成长,深入市场布局半导体精尖制造,目前中国员工人数超过7000人,子2004年至今协议总投资130亿美元以上,在大连设有晶圆厂,成都设有封装测试工厂。在本次“英特尔精尖制造日”活动上还宣布英特尔将拓展晶圆代工,对准不断增长的高端晶圆代工市场。



作为“英特尔精尖制造日”活动的一波小高潮,Stacy Smith除了带来用于数据中心的英特尔64层3D NAND固态硬盘外,还有“one more thing”——全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆。选择在中国进行“Cannon Lake”10纳米晶圆首秀,足以表达英特尔对于中国市场的重视。



对于英特尔10纳米制程工艺,英特尔指出,通过应用超微缩技术,较传统工艺显著提升了微缩水平,进一步降低每个晶体管的成本,提高性能功耗比。最终英特尔10纳米制程工艺在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、逻辑晶体管密度等每项指标均领先于对手的10纳米技术。



据悉,“Cannon Lake”10纳米晶圆拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,从而实现了业内最高的晶体管密度,领先其他“10纳米”整整一代。英特尔10纳米制程技术计划于2017年下半年开始生产,联系此前8月正式发布的第八代酷睿处理器,用户有望于今年底或者明年初体验到采用Cannon Lake架构、10纳米制程处理器的产品。

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